Temperature | Bias | Duration | Sample Size |
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Tj ≥ 125 °C | Maximum Operating Voltage | 48 ≤ t ≤ 168 hrs | Refer to JESD47 |
* 按所要求的FPM水平, 可设为229, 可设为115,153。
JEDEC试验:求前期不良率;AEC试验:判断合格与否 | |
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0级:在150 °C 48小时或在175 °C 24小时 | sample Size : 3Lots (800 units/lot) |
1级:在125 °C 48小时或在150 °C 24小时 | |
2级:在105 °C 48小时或在125 °C 24小时 | |
3级:在85 °C 48小时或在105 °C 24小时 | |
4级:在70 °C 48小时或在90 °C 24小时 |
* 上述条件中选择一项以上进行试验。试验完毕后48小时内进行电气特性试验,若试验结果出现0个“否”,将获得相应等级。
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
AEC-Q100-008 “Early Life Failure Rate”
HTOL(High-Temperature Operating Life)是一种电子器件可靠性测试方法,主要用于评估器件在高温环境下的耐久性和寿命。
应用:半导体使用寿命时间计算;JESD47,AEC-Q 标准认证项目;产品出货后,初期寿命期间的不良率预测;Burn-Time Stress 计算。
科尔泰根据40多年来对各种产品HTOL试验经验,与国际大厂紧密合作, 在各种Memory产品都有丰富的测试经验,且配备了Memory专用HTOL设备, 为客户提供专业化的一站式服务。
DI DL1100A
· Temperature Zone :-40°C~150°C
· Zone & Slot : 32 Slot (Zone per Slot)
· Vector Depth : 4M
· Test Rate Range : 100ns ~ 20,480ns
· Channel : 256 l/0 (208 Channel Compare
function)(0~6V)
· Power : 10V(30A)*2,-20V(I5A),
20V(I5A),50V(I0A)
Blueeng AIO7082(Memory)
· Temperature Zone : -40°C~150°C
· Zone & Slot : 4 Zone /16 slot (4slot/lzone)
· 24X,24Y,33MHz
· Command Step/Length : 1024 /128Bit
· AXI6, AY 16, Data 18, SCAN 32
· Power : PSI 0~7Y (50A Per slot)
PS2 0~7V (50A Per slot)
PS3 0~7V (l8A Per slot)
LTOL是测试产品在低温下长时间操作时体现何等可靠性的评估试验。该试验向试料施加所规定的Bias,在规定的温度(低温)下长时间进行试验。LTOL概念基本与HOTL一致,JEDEC -JESD22-A108中也有记载两种试验。如同HOTL一样,施加电源的方法上有几点要求: 、不能发生Overstress或thermal runaway;第二、不可超标相应datasheet上规定的limit。
除了中间测量外,整个试验时间均适用试验条件。除非有特殊规定,LTOL试验的周边温度 可调到-40 ℃。中间测量必须进行在从去除试验条件96个小时内,若试料满足不了相应spec特性,就被判定为不良。一般为了评估主要在高电压及低温状态下加重的hot carrier effect而进行本试验。
温度 | 偏置(Bias) | 维持时间 | 标本尺寸 |
---|---|---|---|
Tj ≤ 50 °C (Maximum Ta ≤ -40 °C) | 操作电压 | 1000 小时 | 1Lots / 32个 |
JESD22-A108 “Temperature, Bias and Operating Life”
所谓非挥发性内存可靠性试验,可分为1)耐久性试验(反复试验输入/删除)和2)数据维持试验。
耐久性试验中按规定次数反复进行输入、删除,被判定为“Pass”的话将整个样品分成一半进行数据维持试验。此时设计者(或可靠性负责人)需要亲自指定要测试的pattern和输入、删除的portion。每不同Spec维持试验会有所不同,JEDEC使用HTSL和LTOL,AEC则使用HTOL和HTSL。
数据维持试验 | ||
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HTDR | LTDR | |
选项1:Tj = 100 °C | 选项2:Tj = 125 °C | Ta = 25 °C |
3 Lots / 39 个 | 3 Lots / 38 个 | |
Cycles per NVCE(≥55 °C) / 96 及1000小时/ 0不合格 | Cycles per NVCE(≥55 °C) / 10 及100小时/ 0不合格 | Cycles per NVCE(25 °C) / 500 小时/ 0不合格 |
JESD22-A117 “Electrically Erasable Programmable ROM (EEPROM) Program/Erase Endurance and Data Retention Stress Test”
AEC-A100-005”Non-Volatile Memory Program/Erase Endurance, Data Retention, and Operational Life Test”