电路修改测试介绍
聚焦离子束电路修改
(Single Beam Focused Ion Beam）利用聚焦离子束，切割或连接芯片内的金属排线来进行电路修改
测试介绍
聚焦离子束（FIB）利用离子束讲细微部位蚀刻成需求形态，并可对钨或铂等金属性物质或TMCTS等非金属性物质进行沉积。利用离子束的这些特点，可进行半导体芯片的电路修改（Circuit edit)。在检测到电路设计异常时，需要对电路进行物理修改，此时利用离子束的电路修改功能，可在短时间内验证电运行特性。通过快速的布局验证，可省去重新制作光罩的时间和成本。
适用技术
金属电路修改，CU金属电路修改，背面电路修改，探针点制作
案例展示
Circuit edit
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