高加速高温高湿偏置/无偏置寿命测试（HAST/UHAST）测试介绍
高加速高温高湿偏置
无偏置寿命测试
（HAST/UHAST）高温高湿环境的可靠性评估、半导体内部金属要素的腐蚀、迁移（Migration）耐性评估
测试介绍
高加速应力测试(Highly Accelerated Stress Test,简称HAST)是为了完善温湿度偏压测试（Temperature Humidity Bias Test,简称THB）的长时间测试继而被开发出的一款测试。THB测试时长1000小时，反之HAST可以在96 - 264小时内得出结果。因此，近年来HAST测试被广泛使用。和THB一样，HAST加速了die的metal line和thin film resistor腐蚀。在HAST测试前需进行预处理（Precondition），条件温度130°C，温度85%，时间为96h; 温度110°C，湿度85%，时间为264h。
适用技术
电子产品暴露在最常见的环境为高温、高湿的环境中工作的状态。半导体内部的金属要素一旦密封不好，可能会发生腐蚀或迁移，因此可以通过THB测试来评估相应不良机制的耐性。
DATA EXAMPLE
应力最大化的偏压条件
01. 功耗（Power dissipation）最低化，水分充分停留于Die表面；
02. 针对于交叉的Pin，尽可能加相反的偏压（low voltage和high voltage）；
03. Die metallization之间的电位差尽可能达到最大；
03. 在可控的功耗（Power dissipation）范围内，工作电压（Operating Voltage） 等级最大化。
| 参考规范 | |
|---|---|
| 高加速温度湿度应力测试 HAST | |
| JESD22-A110E.01:2021 | AEC-Q100-REV-J:2023；Table 2,Test group A2,HAST |
| AEC-Q101-Rev-E:2021 Table 2,Test group A2,HAST | AEC-Q104-Rev:2017；Table 1,Test group A2,HAST |
| AEC-Q006-Rev-A:2016；Table 3a | AEC-Q006-Rev-A:2016；Table 3b |
| 加速耐湿性无偏置高加速温度湿度应力测试 u_HAST | |
| JESD22-A118B.01:2021 | AEC-Q100-REV-J:2023；Table 2,Test group A3,UHAST |
| AEC-Q101-Rev-E:2021；Table 2,Test group A3,UHAST | AEC-Q104-Rev:2017；Table 1,Test group A3,UHAST |
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