带电器件模型（CDM）测试介绍
带电器件模型
评估电子元器件对静电放电耐受能力的测试
测试介绍
本试验是模拟半导体及电子元器件因摩擦、接触等原因，相应元器件的电荷被积累(充电)，充电的元器件与导体接触时，发生急剧放电现象的一款试验。ESD只要能体现No charge（不充电）或 No discharge（不放电）环境，就不会引发任何不良。但根源上消除静电不可能的，因此要评估IC和电子元器件的耐性水平。
适用技术
可对半导体（Memory，Sysetm IC),Discrete IC(分立器件）,无源器件Level ESD(CDM)试验，板级CBM(Charged Board Model)进行试验
| 参考规范 | |
|---|---|
| AEC-Q100-011-REV-D:2019 | AEC-Q101-005-REV-A: 2019 |
| JESD22-C101F:2013 | ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022 |
| AEC-Q100-REV-J:2023；Table 2,Test group E3,CDM | AEC-Q101-Rev-E:2021；Table 2,Test group E4,ESDC(ESD CDM Characterization) |
| AEC-Q104-Rev:2017；Table 1,Test group E3,CDM | |
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