热点测试（EMMI)测试介绍
热点测试（EMMI)
向设备施加电信号后，检测不良位置产生的热或光，用于检测设备泄露电流和短路的不良位置
测试介绍
电流通过电阻会产生热，主要从与金属相关的不良中释放。光子是与Gate相关的不良，由Si(MOSFET) layer中释放。 Optical Beam Induced Resitance Change (OBIRCH）是寻找因激光加热引起的热电力发生点的检测。 具有代表性的不良包括金属熔化、电路短路、氧化层裂纹、金属迁移、漏极泄露、栅极漏电流、ESD 失效等。 设备施加电压时，非不良区域也会产生热量，因此需要确认检测出的热是否是因不良而产生的Real spot， 即可通过与常规样品的比较，追加分析检测出的点位是Normal spot还是Real spot。
适用技术
Short-circuit of metal wirings, Abnormality of contact holes, Micro plasma leakage in oxide layer, Oxide layer breakdown TFT-LCD leakage/ Organic EL leakage localization, Observation of temperature abnormalities in devices under development process, Source to Drain Leakage, Junction Leakage, Oxidation Breakdown, ESD Failure, Hot Carrier Occurrence, Latch up occurred Point Detection
设备规格
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